
在电子电路设计中,二极管是不可或缺的基础元件。其中,齐纳二极管(Zener Diode)和肖特基二极管(Schottky Diode)因其独特的电学特性,在稳压、整流和高速开关等场景中广泛应用。本文将从工作原理、电气参数、应用场景等方面对两者进行深入对比,帮助工程师科学选型。
齐纳二极管基于齐纳击穿效应,当反向电压达到特定阈值(即齐纳电压)时,器件进入击穿状态并维持稳定的电压输出,广泛用于电压参考和稳压电路。
肖特基二极管利用金属-半导体结形成低势垒,其正向导通压降低(通常0.15–0.45V),且反向恢复时间极短,适用于高频、高效整流场合。
| 参数 | 齐纳二极管 | 肖特基二极管 |
|---|---|---|
| 正向压降 | 0.6–0.7V(典型) | 0.15–0.45V(低) |
| 反向恢复时间 | 较长(微秒级) | 极短(纳秒级) |
| 击穿电压范围 | 2.4V – 200V+ | 一般低于 100V |
| 反向漏电流 | 较低 | 相对较高 |
选择齐纳二极管还是肖特基二极管,应根据具体需求权衡:
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